Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (3)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Shklovskii B$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
1.

Sammon M. 
Electron accumulation layer in ultrastrong magnetic field [Електронний ресурс] / M. Sammon, Fu Han, B. I. Shklovskii // Физика низких температур. - 2017. - Т. 43, № 2. - С. 283-290. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2017_43_2_9
When a three-dimensional electron gas is subjected to a very strong magnetic field, it can reach a quasi-one-dimensional state in which all electrons occupy the lowest Landau level. This state is referred to as the extreme quantum limit (EQL) and has been studied in the physics of pulsars and bulk semiconductors. Here we present a theory of the EQL phase in electron accumulation layers created by an external electric field E at the surface of a semiconductor with a large Bohr radius such as InSb, PbTe, SrTiO3 (STO), and particularly in the LaAlO3/SrTiO3 (LAO/STO) heterostructure. The phase diagram of the electron gas in the plane of the magnetic field strength and the electron surface concentration is found for different orientations of the magnetic field. We find that in addition to the quasi-classical metallic phase (M), there is a metallic EQL phase, as well as an insulating Wigner crystal state (WC). Within the EQL phase, the Thomas?Fermi approximation is used to find the electron density and the electrostatic potential profiles of the accumulation layer. Additionally, the quantum capacitance for each phase is calculated as a tool for experimental study of these phase diagrams.
Попередній перегляд:   Завантажити - 575.826 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Shklovskii B. I. 
Variable range hopping in thin film with large dielectric constant [Електронний ресурс] / B. I. Shklovskii // Физика низких температур. - 2017. - Т. 43, № 6. - С. 879-883. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2017_43_6_11
In a film with large dielectric constant - the electric field of an electron spreads inside the film before exiting the film at large distances of order of <$E kappa d> (d is the film width). This leads to the logarithmic Coulomb repulsion between electrons and modifies the shape of the Coulomb gap in the density of localized states in a doped film. As a result the variable range hopping conductivity in such a film has a peculiar temperature dependence, where the domain of the <$E ln sigma (T)~symbol Х~(T sub 0 "/" T) sup p> dependence, with the index <$E p~symbol Ы~0,7>, is sandwiched between the two domains with p = 1/2.
Попередній перегляд:   Завантажити - 238.958 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського